我們都知道UVCLED在市面上是很廣泛的，但是可能對于絕大部分的使用者來說不知道其背后有哪些技術(shù)原理，今天日益興小編就來給大家簡單剖析一下吧！

1.芯片：倒裝芯片是目前UVC芯片的主流，但不一定是最佳結(jié)構(gòu)。垂直芯片也有其獨特的優(yōu)勢，如更好的電流傳輸、更少的光吸收和更好的散熱。然而，由于氮化鋁是主要材料，需要長波長高能準(zhǔn)分子激光將其從藍(lán)寶石襯底上剝離，這將對外延材料造成嚴(yán)重?fù)p壞。因此，目前只有l(wèi)git能夠?qū)崿F(xiàn)垂直結(jié)構(gòu)UVC led的批量生產(chǎn)。如果能找到一種經(jīng)濟(jì)簡單的剝離方法，垂直結(jié)構(gòu)將有機會成為大功率UVC led的主流。

2.封裝：主要考慮UVC led的散熱和發(fā)光。在材料方面，經(jīng)過多年的發(fā)展，市場上的UVC led基本上都是倒裝芯片，使用高導(dǎo)熱性的氮化鋁基板。

3.使用壽命：UVC LED工作時間長，會因光衰減而導(dǎo)致老化，尤其是大功率UVC LED，光衰減問題更為嚴(yán)重。在測量UVC led的壽命時，僅將燈損壞視為UVC led壽命的終點是不夠的。LED的壽命應(yīng)由UVC LED的光衰減百分比決定。

4.發(fā)光效率：一般指UVC led的外部量子效率（EQE），是器件內(nèi)部量子效率和提取效率的乘積。內(nèi)部效率（IQE）主要與器件本身的特性（如器件材料的能帶、缺陷和雜質(zhì)）、外延晶片材料和結(jié)構(gòu)有關(guān)。

設(shè)備的提取效率是指在設(shè)備內(nèi)部產(chǎn)生的光子被設(shè)備本身吸收、折射和反射后，可以在設(shè)備外部測量的數(shù)據(jù)。因此，影響提取效率的因素包括吸收、散射、器件材料本身的結(jié)構(gòu)以及封裝材料的折射率差。

內(nèi)部效率（IQE）：主要與器件本身的特性有關(guān)，如能帶、缺陷、雜質(zhì)、外延晶片材料、結(jié)構(gòu)等。

提取效率：設(shè)備內(nèi)部產(chǎn)生的光子被設(shè)備本身吸收、折射和反射后，設(shè)備外部的實際可測量光子數(shù)；

外部量子效率（EQE）：器件的內(nèi)部量子效率和提取效率的乘積；

電光轉(zhuǎn)換效率（WPE）：當(dāng)最終產(chǎn)品通電時，有多少電能轉(zhuǎn)換為光能?？紤]到輸入功率、EQE和芯片條件，它是評估發(fā)光效率的重要指標(biāo)。

以上給大家介紹的就是UVCLED背后的操作原理，如果你還有不懂的話，歡迎隨時聯(lián)系我們。